硅电容器工艺

2024年3月6日 · 上一篇分享了村田使用的硅电容技术主要就是半导体的MOS技术,再加上了3D技术以及干法刻蚀技术的Bosch工艺来提升电容密度。前面文章也提到过,目前主要批量的硅电容厂家,主要有村田和台积电。

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2024年3月19日 · 本文详细介绍了硅电容的工作原理、结构特点、制造工艺流程,强调了选型参数如电容值、额定电压、温度范围、容差等,并提供了设计时应注意的事项,包括电容类型选择、电压电流处理、热管理和机械应力等,旨在帮助硬件开发者正确选型和使用硅电容。

2024年1月21日 · 硅电容器,简称Si-Cap,是指以硅材料为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器。电容器还包括陶瓷电容、铝电解电容、钽电容、薄膜电容等传统品类,其中陶瓷电容是当下市场应用覆盖最高广、成熟度最高高的电容器,市场占比约59%,具有高频率、低阻抗

2024年3月5日 · 以下以MIM 工艺流程为例进行说明（以下是单层MIM介绍,可以通过多层实现更大的电容量） 1基础材料准备：基片选择: 选取适当的半导体基片,通常使用硅（Si）基片。

2024年10月15日 · 在近年来需求量快速增长的使自动驾驶成为可能的传感技术"LiDAR"中,硅电容器通过其低ESL特性,为实现检测的长距离化及提高测量分辨率做出贡献。

2024年4月6日 · 概括而言,硅电容的制造工艺可以分为几个主要步骤, 包括硅基底片的准备,沉积介质层,定义电极结构,最高后进行封装。首先,硅基底片的准备是整个制造工艺

2024年3月5日 · 当前的硅电容根据工艺分成两大类,一类采用半导体MOS工艺,主要针对的是高压低容量市场,典型厂商是村田,应用领域例如RF,激光雷达等。另一种采用半导体的DTC（深沟槽）技术,针对的是低压大容量市场,典型技术提供商是台积电,主要应用领域是配合

2024年9月12日 · 上文介绍了村田使用的硅电容技术,主要基于半导体的MOS技术,结合3D技术以及Bosch工艺,以提升电容密度。台积电作为主要批量的硅电容厂家之一,其硅电容技术主要用于先进的技术封装,并与第三方合作进行二次开发。

村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。

2020年12月9日 · 村田硅电容器系列产品的独特构造、稳定的电气性能、高容量密度与高超的集成化技术,为提升光通信模块的信号完整性及产品小型化提供了非常好的解决方案。