硅元素制成光电池负极

2023年12月1日 · 本专利由宁波杉杉硅基材料有限公司申请,2024-01-26公开,本发明公开了一种硅基负极材料及其制备方法、电池、应用。该硅基负极材料,其为类核壳结构,其由内至外依次包括内核、中碳包覆层和外碳包覆层；内核包括含镁物质、氧化亚硅和硅晶粒；硅晶粒的

直流充电桩

我们的直流充电桩为电动汽车提供快速、安全的充电解决方案，适用于各种公共场所和商业设施，确保高效的充电体验，助力绿色出行。

储能充电一体化机柜

这款储能充电一体化机柜集成了储能与充电功能，设计紧凑，便于安装与维护，为用户提供稳定的电力供应和灵活的能源管理。

可折叠太阳能电池板集装箱

我们的可折叠太阳能电池板集装箱是为偏远地区和移动应用设计的灵活能源解决方案，易于运输和部署，为多种场景提供可持续电力。

海岛微电网

海岛微电网系统专为海岛地区设计，整合了太阳能、储能和风能等多种能源，实现自给自足的电力供应，保障海岛的能源独立性与稳定性。

移动风力发电站

移动风力发电站提供便捷的可再生能源解决方案，适用于各种移动场景，从紧急救援到临时活动，能够快速部署并高效产生电力。

调度监控系统

我们的调度监控系统为微电网和储能设备提供全方位的监控与管理，实时掌握系统运行状态，确保能源系统的高效、安全和可靠性。

一种硅基负极材料及其制备方法、电池、应用-CN117457882A

一种基于光伏硅废料的锂离子电池负极材料的制备方法及应用

2016年2月17日 · 本发明涉及一种基于光伏产业高纯硅废料的锂离子电池负极材料的制备方法及应用技术,属于新能源材料与能源电化学研究领域。过去二十年中,锂离子电池在移动电子领域内的应用获得了巨大成功,并被认为是电动汽车和大型储能设备电池系统的理想选择。然而要在动力和储能领域实现进一步的应用,下一代锂离子电池仍需在能量和功率密度、安全方位性、寿命、成本

科学网—ICM综述 | 东华大学杨建平教授团队：锂离子电池硅基

2024年1月11日 · 本文全方位面概述了硅基负极材料的最高新进展、挑战和前景,讨论了硅的基本电化学特性、在锂离子电池负极材料中的应用以及面对的主要困难；分析了粘结剂、复合材料和液体电解质在提升硅负极材料性能方面的应用,并对未来可以满足工业化需求的高性能硅基负极

一种硅负极材料及其制备方法,负极极片和锂离子电池

2022年11月25日 · 本发明公开了一种硅负极材料及其制备方法,负极极片和锂离子电池,所述硅负极材料为核壳结构,包括内核,中间层和外壳,中间层包覆内核的至少部分表面,外壳包覆中间层的至少部分表面;其中,内核为硅基材料,中间层为人造石墨和软硬碳混合材料,外壳为钛

一种基于光伏硅废料的锂离子电池负极材料的制备方法及应用

本发明提出一种基于光伏产业硅废料的锂离子电池负极材料的制备方法及应用技术.通过对光伏产业中硅片切割产生的高纯硅废料进行系列纯化(包括清洗,高温除杂等)以及结构和组成的调控(包括湿法刻蚀,原位石墨碳包覆及与传统石墨负极按一定比例混合),获得微米或

一种硅碳负极材料及其制备方法

2024年11月1日 · 利用这种方法以光伏废硅为主要原料制备硅碳负极材料,不仅能够解决光伏废弃物处理的问题,降低光伏电池成本,促进清洁能源的可持续利用,还解决了硅基负极在脱嵌锂的过程中体积膨胀导致的结构破碎、粉化,同时无需使用粘结剂和集流体的特点

纳米级硅作为锂离子电池的负极：基本原理,前景和挑战

2015年9月24日 · 硅（Si）与其自然丰度,相对于Li / Li +的低放电电压以及极高的理论容量（〜4200 mAh g -1）有关,已被广泛地用作锂离子电池的负极。使用Si作为阳极的关键挑战之一是在锂化和脱锂时的大体积变化,这导致快速的容量衰减。

一种基于光伏废硅的硅碳负极材料及其制备方法与流程

2019年11月20日 · 中国专利cn104112850提供了一种基于光伏产业硅废料的锂离子电池负极材料的制备方法,将纯化和改性后的微米或亚微米级硅与石墨简单混合,并与特定粘结剂体系匹配后应用在锂离子电池负极材料。

基于光伏切割废料的锂离子电池Si@C--Ni负极制备与机理研究

硅是地球上丰度第二的元素,硅单质已被广泛应用于光伏、半导体、微电子等行业。在能源与环境危机的国际背景下,太阳能等可再生能源倍受各国重视。因此,硅材料产业得到了空前的发展。然而,由于硅片切割会产生大量的(40％左右)硅泥废料。对这一废料的高价值回收利用一直是行业的

2018年12月4日 · 中硅结构相变研究的结果&并提出了室温下硅锂合金化X去合金化的反应机制&如下所示(首次放电过程( G7! BMS9>6887C@" YH7Y YH @ ) ( 7. !#" H" @ 7 ) ( #-G7 &!BMS9>6887C@"& !!" !&" !-" H" @ ) ( 7 #-G7 &!BMS9>6887C@"$ !," )!''*容量的快速衰减$不稳定G30膜对硅纳米线的可能导致硅材料块体出现裂纹并粉化)!# !6"硅体积膨胀引起粉化的示意

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