太阳能电池扩散新技术

2019年10月23日 · 本文针对硼扩散技术提高太阳能电池片工艺均匀性,降低副产物BSG影响的3个研究方向分别进行介绍。 1太阳能电池中硼扩散技术的研究进展. 南京航天航空大学的洪捐、杨楠楠等人采用SiO2纳米浆料作为硼源,在不同条件下用Stober法制备的SiO2纳米球大小分别为350nm和450nm,旋涂后均匀以HCP形式均匀铺展在太阳能电池片表面,如图1所示,未发生

All
直流充电桩

直流充电桩

我们的直流充电桩为电动汽车提供快速、安全的充电解决方案,适用于各种公共场所和商业设施,确保高效的充电体验,助力绿色出行。
储能充电一体化机柜

储能充电一体化机柜

这款储能充电一体化机柜集成了储能与充电功能,设计紧凑,便于安装与维护,为用户提供稳定的电力供应和灵活的能源管理。
可折叠太阳能电池板集装箱

可折叠太阳能电池板集装箱

我们的可折叠太阳能电池板集装箱是为偏远地区和移动应用设计的灵活能源解决方案,易于运输和部署,为多种场景提供可持续电力。
海岛微电网

海岛微电网

海岛微电网系统专为海岛地区设计,整合了太阳能、储能和风能等多种能源,实现自给自足的电力供应,保障海岛的能源独立性与稳定性。
移动风力发电站

移动风力发电站

移动风力发电站提供便捷的可再生能源解决方案,适用于各种移动场景,从紧急救援到临时活动,能够快速部署并高效产生电力。
调度监控系统

调度监控系统

我们的调度监控系统为微电网和储能设备提供全方位的监控与管理,实时掌握系统运行状态,确保能源系统的高效、安全和可靠性。

硼扩散均匀性改善 摘要:对国内近十年来硼扩散技术的进展

2019年10月23日 · 本文针对硼扩散技术提高太阳能电池片工艺均匀性,降低副产物BSG影响的3个研究方向分别进行介绍。 1太阳能电池中硼扩散技术的研究进展. 南京航天航空大学的洪捐、杨楠楠等人采用SiO2纳米浆料作为硼源,在不同条件下用Stober法制备的SiO2纳米球大小分别为350nm和450nm,旋涂后均匀以HCP形式均匀铺展在太阳能电池片表面,如图1所示,未发生

TBC电池结构模拟: 具有混合扩散和TOPCon技术的IBC电池

通过模拟确定最高佳的多晶硅层厚度和掺杂浓度,以最高大化太阳能电池的效率。多晶硅层在 IBC太阳能电池中通常作为选择性接触,其性能直接影响电池的开路电压(Voc)、短路电流(Jsc)、填充因子(FF)和整体效率。 不同掺杂浓度和厚度的多晶硅层的模拟

太阳能电池扩散工艺研究

2017年7月20日 · 近日,日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)宣布在"绿色创新基金"的资助框架下,正式启动"下一代太阳能电池示范项目"。 该项目通过支持薄膜钙钛矿太阳电池技术的研发与大规模生产,为实现日本2050年碳中和目标提供有力支撑。

太阳能电池新技术:减小基极扩散面积的创新分析

2024年11月27日 · 在太阳能电池的制造工艺中,基极的扩散是一个关键步骤,涉及将掺杂元素引入半导体材料中形成PN结。掺杂浓度和扩散深度的精确确控制是提高电池性能的关键。因此,对基极扩散面积的精确确设计与优化,是现代太阳能电池制造技术中的一个重点。

散射波导助力提升多结太阳能电池效率

3 天之前 · 未来,散射波导技术有望与微透镜浓缩器相互补充,尤其是在光入射角度多变的应用场景中,预计该设计过程和实验结果能够为提升多结太阳能电池

钙钛矿太阳能电池效率和稳定性提升

3 天之前 · 这些成果不仅推动了太阳能电池技术的发展,也为未来的能源解决方案提供了新的思路。 图3. 漂移扩散模型的电学结果。 a、b)显示了具有250 nm和500

光伏电池之扩散技术

2011年11月25日 · 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。 管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。

SE+PERC太阳电池扩散工艺的研究

2020年12月22日 · 本文针对激光掺杂技术匹配的扩散工艺进行了优化调整,新扩散工艺增加了原位氧化+ 低温补源2 个步骤,其主要优势是扩散在硅片表面生长出的PSG 层更厚,在激光设备对硅片掺杂时减轻了激光损伤;同时,表面更高浓度的磷掺杂可以确保激光高功率掺杂时有

张光烨课题组最高新MSER:通过挥发性添加剂辅助三元策略

2024年10月22日 · 这项研究强调了使用挥发性添加剂和第三组分在优化OSC器件性能的潜力,为进一步开发高性能和稳定的有机太阳能电池及其商业化提供了助力。 图2.(a)器件的能量损失;(b)目前使用MPPT测试的器件衰减时间统计数据;(c)本研究中器件归一化PCE随光暴露时

SE+PERC太阳电池扩散工艺的研究-国际太阳能光伏

2020年12月23日 · 本文针对激光掺杂技术匹配的扩散工艺进行了优化调整,新扩散工艺增加了原位氧化+ 低温补源2 个步骤,其主要优势是扩散在硅片表面生长出的PSG 层更厚,在激光设备对硅片掺杂时减轻了激光损伤;同时,表面更高浓度的磷掺杂可以确保激光高功率掺杂时有