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2024年5月28日 · 介电材料的介电常数和击穿强度是影响瓷介电容性能的关键因素。开发具有更高介电常数和击穿强度的新材料,能够显著提升电容器的储能密度和能量密度,如采用高熵设计策略,如基于钛酸钡(BaTiO3)的多态松弛相无铅MLCCs(多层陶瓷电容器),通过降低畴翻转势垒和引入晶格畸变等方式,有效
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