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2010年4月2日 · 硅光电池特性测试实验报告-图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合时,由于P型材料空穴多 (7)根据上述实验所测试的数据,在同一坐标轴上描绘出硅光电池的负载特性曲线,并进行分析。 6、硅光电池
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